【据Eurekalert网站2017年3月30日报道】北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷（p型）还原型氧化石墨烯（rGO）转化为带负电荷（n型）rGO的技术，该技术创建了可用于开发基于rGO的晶体管的分层材料用于电子设备。

石墨烯导电性非常好但不是半导体，而石墨烯氧化物具有像半导体这样的带隙但导电性差。研究人员创建p型rGO同时还要找到一种制作n型rGO在下一代二维电子设备中使用。首先，他们能够将rGO集成到蓝宝石和硅晶片上-整个晶片。其次，使用高功率激光脉冲来定期地破坏晶片上的化学基团。这种破坏将电子从一组移动到另一组，有效地将p型rGO转化为n型rGO。整个过程在室温和压力下使用大功率纳秒激光脉冲并且在小于1/5微秒内完成。激光辐射退火提供了高度的空间和深度控制，用于创建产生基于p-n结的二维电子器件所需的n型区域。

最终研究结果是在晶片表面形成一层n型rGO层而下一层是p型rGO层。这是至关重要的，因为两种类型结合的p-n结材料可应用于晶体管中。

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