文章来源：石墨烯网

尽管以前作出了巨大的努力，但仍然需要一种简单，清洁和可扩展的方法来从其生长的金属支撑体上分离外延石墨烯。我们提出一种没有溶剂和聚合物载体的相反应基于纯气体的方法，并避免机械转移步骤。在具有YSZ缓冲层的Si（111）晶片上，在150nm厚的单晶Ni（111）膜上生长石墨烯。通过使用低能电子衍射和扫描隧道显微镜监测其质量。气相蚀刻采用化学传递反应，即所谓的Mond工艺，基于在〜75℃的〜1bar的CO中形成气态的镍四羰基，并加入少量的硫化物催化剂。X射线光电子能谱，拉曼光谱和扫描电子显微镜用于表征分离的石墨烯。发现该方法从石墨烯层下方成功地除去镍，使得石墨烯位于绝缘氧化物缓冲层上。鉴定出所获得的石墨烯层中硫化镍的小残余颗粒和裂纹。缺陷浓度与通过湿化学蚀刻和鼓泡转移获得的石墨烯样品相当。

图1.石墨烯生长和气相腐蚀示意图。

图2.样品表征图谱。

该工作已经发表于Surface Science上了。（Surface Science 653(2016) 143-152，）