纳米多孔石墨烯(NPG)可以表现出均匀的电子带隙和合理设计的新兴电子特性，当以原子精度合成时，有望用于场效应晶体管(FET)等电子器件。为石墨烯纳米带(GNR)开发的自下而上表面合成方法提供了NPG形成所需的原子精度，有望获得这些理想的性质。然而，迄今为止，自下而上合成NPG用于电子器件的潜力在很大程度上仍未得到探索。

有鉴于此，近日，美国加州大学伯克利分校Jeffrey Bokor等展示了基于自下而上合成的V型NPG(C-NPG)的FET，由横向连接的V型GNRs定义的有序纳米孔阵列组成。C-NPG FET显示出优异的开关性能，开关比超过104，这与C-NPG的结构质量密切相关。这些器件在空气中作为p型晶体管工作，而在真空下测量时观察到n型输运，这与气体或水汽的可逆吸附有关。还通过电子结构和输运计算对C-NPG中的电荷输运进行了理论分析，揭示了C-NPG中的强电导各向异性效应。本研究为石墨烯基高性能电子器件的设计提供了重要的见解，其中实现了弹道传导和传导各向异性，可用于逻辑应用，以及用于化学或生物检测的超灵敏传感器。

图1. C-NPG的生长和结构鉴定。

图2. 器件架构、输运和电学特性。

图3. C-NPG中电荷输运的理论分析。

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