打开石墨烯带隙 开启石墨烯芯片制造领域大门
时间:2024-01-08
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来源:新材料在线
文章来源:科技日报
4日,记者从天津大学获悉,该校纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授团队攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题,在保证石墨烯优良特性的前提下,打开了石墨烯带隙,成为开启石墨烯芯片制造领域大门的重要里程碑。该研究成果论文《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》1月3日在线发表于国际期刊《自然》。
,其具有生长面积大、均匀性高,工艺流程简单、成本低廉等优势,弥补了传统生产工艺的不足;第二,该方法制备的半导体石墨烯,拥有约600毫电子伏带隙以及高达5500厘米平方每伏特秒的室温霍尔迁移率,优于目前所有二维晶体至少一个数量级。高迁移率意味着,单位时间内承载的信息量越高,计算机运算速率越快,处理信息的速度更快;最后,以该半导体外延石墨烯制备的场效应晶体管开关比高达10000,基本满足了工业化应用需求。
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随着摩尔定律所预测的极限日益临近,半导体石墨烯的出现为高性能电子器件带来了全新的材料选择,其突破性的属性满足了对更高计算速度和微型化集成电子器件不断增长的需求,也为整个半导体行业注入了新动力。
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(天津大学供图)
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