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北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷（p型）还原型氧化石墨烯（rGO）转化为带负电荷（n型）rGO的技术并研制了一种分层材料，可用于开发rGO基晶体管，应用于电子设备。

北卡罗来纳州立大学材料科学与工程学院杰出教授Jay Narayan及相关研究人员表示，“石墨烯导电性能极好，但它不是半导体；石墨烯氧化物具有像半导体一样的禁带，但不具有良好的导电性，所以我们研发了rGO。但是，rGO是p型，我们需要找到一种制作n型rGO的方法。而现在我们已经可以将这项技术用于下一代二维电子设备中。”

具体来说，Narayan教授和实验室中的学生AnaghBhaumik博士在该研究中展示了两项研究成果。第一，他们能够将rGO集成到蓝宝石和整个硅晶片上。

第二，研究人员使用大功率激光脉冲定期地破坏晶片上的化学基团。这种破坏作用将电子从这一基团移动到另一基团，能够有效地将p型rGO转化为n型rGO。整个过程在常温常压下使用大功率纳秒激光脉冲，并在小于1/5微秒内完成。激光辐射退火处理为创造基于p-n结的二维电子器件所需的n型区域提供了高度的空间和深度控制。